La diode Schottky est constituée par une jonction métal-semiconducteur N. Contrairement aux diodes classiques ce type de diode ne met en jeu qu'un seul type de porteur (électrons). Comme métal, on utilise souvent de l'aluminium ou du platine.
1) Pour la majorité des diodes la tension de seuil est voisine de 0,25 V.
Cette tension de seuil est plus faible que celle des diodes à jonction (0,65 v des diodes à jonction au silicium)
2) Comme il n'y a qu'un seul type de porteurs, la durée du temps de commutation entre l'état passant à l'état bloqué est beaucoup plus faible que pour les diodes classiques ou la commutation nécessite des recombinaisons électron-trou.
3)
Il est possible d'obtenir des surfaces de jonction importantes et donc des intensités importantes.
4) Le courant inverse est plus important que pour les diodes classiques mais variant peu avec la température.
5) La tension inverse maximale est bien plus faible que pour les diodes classiques. Pour la majorité des diodes cette tension ne dépasse pas 40 V .
Utilisations
Redressement de puissance en basses tension avec un meilleur rendement.
Commutation en haute fréquence (5 10−12 s)
Utilisation en protection contre les inversions de polarité (chute de tension plus faible en fonctionnement normal.
Utilisation dans les séries TTL 74Sxxx et
74LSxxx (vitesse de commutation élevées 6 ns).
Protection les entrées des composants sensibles aux décharges électrostatiques. Deux diodes en série entre le plus et la masse avec l'entrée à protéger placée entre les deux diodes permet de limiter la tension sur l'entrée à (Vcc + Vseuil) et (Vm − Vseuil) en un temps très court.
La courbe tracée est la caractéristique d'une diode 1N5819 (1A max, 40 V)