Le rôle de ce circuit est de fournir deux signaux identiques en opposition de phase.
On utilise un transistor monté en émetteur commun avec des résistances de collecteur et d'émetteur identiques.

Polarisation du circuit.
On utilise un transistor 2N2222 avec β = 150.
Vcc = 15 V, Rc = Re = 5,6 kΩ.
Un pont de base avec R1 = 150 kΩ et R2 = 69 kΩ est utilisé pour polariser la base.
On mesure Vbm = 4,54 V. Montrer que cette valeur correspond à un courant base IB ≈ 4,5 µA et à VCE ≈ 7,2 V.

Étude du circuit.
On utilise le modèle du transistor en mode des petits signaux.
Rappels :
Les petites lettres i et v correspondent aux variations des courants et des tensions
Dans ce modèle on représente le transistor (cadre en pointillés) par sa résistance d'entrée h11(Ω) ≈ 26.β / IC(mA), un générateur de courant iC = h21.iB = β.iB et par son admittance de sortie h22 = iC / vCE

Dans ce modèle le générateur d'alimentation et les condensateurs sont des courts-circuits pour les signaux variables.

Équations du circuit.
ve = h11.iB + Re.(iB + iC) ≈ (h11 + β.Re).iB.
On considère les résistances h22⁻¹ et Ru infinies.
vS1M = − Rc.iC
vS2M = Re(iC + iB)

G1 = vS1M / vE = − Rc.β.iB / (h11 + β.Re).iB.
G1 = vS1M / vE = − Rc.β / (h11 + β.Rc).
G2 = vS2M / vE = − Re.β / (h11 + β.Re) = − G1
Les gains des deux voies sont opposés (déphasage de π) et légèrement inférieur à l'unité.
Sur la maquette j'ai mesuré des gains de − 0,90 et + 0,92.

Les calculs ne sont valides que si les sorties sont chargées par des résistances beaucoup plus grandes que Re et Rc.

Comparer ce montage avec la version réalisée avec un JFET.